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PSMN9R1-30YL

N-channel 9.1 m廓 30 V TrenchMOS logic level FET in LFPAK

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安世安世半導體(中國)有限公司

PSMN9R1-30YL_15

N-channel 9.1 m廓 30 V TrenchMOS logic level FET in LFPAK

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

詳細參數(shù)

  • 型號:

    PSMN9R1-30YL

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 30V TrenchMOS logic level FET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
NXP
22+23+
SOT-669
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NXP/恩智浦
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SOT-669
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NXP/恩智浦
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NXP/恩智浦
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SOT-669
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NXP/恩智浦
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NXP(恩智浦)
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更多PSMN9R1-30YL供應商 更新時間2025-3-6 16:50:00