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PTAB182002FCV1R250中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

PTAB182002FCV1R250
廠商型號(hào)

PTAB182002FCV1R250
功能描述

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET
文件大小

1.0478 Mbytes
頁(yè)面數(shù)量

13 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Infineon【英飛凌】

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-3 15:03:00
供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
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INFINEON/英飛凌
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