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PTB20156中文資料愛立信數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PTB20156
廠商型號

PTB20156

功能描述

8 Watts, 1350-1850 MHz Microwave Power Transistor

文件大小

43.92 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商 Ericsson Microelectronics
企業(yè)簡稱

Ericsson愛立信

中文名稱

愛立信公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-15 23:20:00

PTB20156規(guī)格書詳情

Description

The 20156 is an NPN, common base RF power transistor intended for 22 Vdc operation from 1350 to 1850 MHz. Rated at 8 watts minimum output power, it may be used for both CW and PEP applications. Ion implantation, nitride surface passivation and gold metallization are used to ensure excellent device reliability. 100 lot traceability is standard.

? Specified 22 Volts

? Class C Characteristics

? Output Power: 8 Watts

? Gain: 6.0 dB Min. at 8 Watts

? Gold Metallization

? Silicon Nitride Passivated

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    PTB20156

  • 功能描述:

    射頻放大器 RF Bipolar Trans

  • RoHS:

  • 制造商:

    Skyworks Solutions, Inc.

  • 類型:

    Low Noise Amplifier

  • 工作頻率:

    2.3 GHz to 2.8 GHz

  • P1dB:

    18.5 dBm

  • 輸出截獲點:

    37.5 dBm

  • 功率增益類型:

    32 dB

  • 噪聲系數(shù):

    0.85 dB

  • 工作電源電壓:

    5 V

  • 電源電流:

    125 mA

  • 測試頻率:

    2.6 GHz

  • 最大工作溫度:

    + 85 C

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    QFN-16

  • 封裝:

    Reel

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