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PTF080101S分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
PTF080101S |
| 參數(shù)屬性 | PTF080101S 封裝/外殼為H-32259-2；包裝為帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：FET RF 65V 960MHZ H-32259-2 |
| 功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 10 W, 860 - 960 MHz |
| 封裝外殼 | H-32259-2 |
| 文件大小 |
172.75 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
9 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
| 企業(yè)簡稱 |
Infineon【英飛凌】 |
| 中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-26 9:20:00 |
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PTF080101S屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的PTF080101S晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
Description
The PTF080101 is a 10 W, internally matched GOLDMOS FET intended for EDGE applications in the 860 to 960 MHz band. Full gold metallization ensures excellent device lifetime and reliability.
Features
? Broadband internal matching
? Typical EDGE performance
- Average output power = 4.0 W
- Gain = 19 dB
- Efficiency = 31
? Typical CW performance
- Output power at P–1dB = 13 W
- Gain = 18 dB
- Efficiency = 55
? Integrated ESD protection: Human Body Model, Class 1 (minimum)
? Excellent thermal stability
? Low HCI drift
? Capable of handling 10:1 VSWR @ 28 V, 10 W (CW) output power
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
PTF080101S V1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 系列：
GOLDMOS?
- 包裝：
帶
- 晶體管類型：
LDMOS
- 頻率：
960MHz
- 增益：
18.5dB
- 額定電流（安培）：
1μA
- 功率 - 輸出：
10W
- 封裝/外殼：
H-32259-2
- 供應(yīng)商器件封裝：
H-32259-2
- 描述：
FET RF 65V 960MHZ H-32259-2
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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