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PTF10135中文資料愛立信數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PTF10135
廠商型號

PTF10135

功能描述

5 Watts, 2.0 GHz GOLDMOS Field Effect Transistor

文件大小

245.76 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Ericsson Microelectronics
企業(yè)簡稱

Ericsson愛立信

中文名稱

愛立信官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2024-11-18 22:30:00

PTF10135規(guī)格書詳情

Description

The PTF 10135 is a common source N-channel enhancement-mode lateral MOSFET intended for large signal applications from 1.0 to 2.0 GHz. It is rated at 5 watts minimum output power. Nitride surface passivation and gold metallization ensure excellent device lifetime and reliability. 100 lot traceability is standard.

? Guaranteed Performance at 1.99 GHz, 26 V

- Output Power = 5 Watts Min

- Power Gain = 11 dB Min

? Gold Metallization

? Silicon Nitride Passivated

? Back Side Common Source

? Excellent Thermal Stability

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    PTF10135

  • 功能描述:

    射頻放大器 RF LDMOS Transistor

  • RoHS:

  • 制造商:

    Skyworks Solutions, Inc.

  • 類型:

    Low Noise Amplifier

  • 工作頻率:

    2.3 GHz to 2.8 GHz

  • P1dB:

    18.5 dBm

  • 輸出截獲點(diǎn):

    37.5 dBm

  • 功率增益類型:

    32 dB

  • 噪聲系數(shù):

    0.85 dB

  • 工作電源電壓:

    5 V

  • 電源電流:

    125 mA

  • 測試頻率:

    2.6 GHz

  • 最大工作溫度:

    + 85 C

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    QFN-16

  • 封裝:

    Reel

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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