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PTF180101M分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

PTF180101M
廠商型號

PTF180101M
參數(shù)屬性

PTF180101M 封裝/外殼為10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）；包裝為帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10
功能描述

High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 10 W, 1.0 ??2.0 GHz
IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10
封裝外殼

10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）
文件大小

314.5 Kbytes
頁面數(shù)量

8 頁
生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon【英飛凌】

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間

2025-1-11 22:30:00

PTF180101M規(guī)格書詳情

PTF180101M屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的PTF180101M晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

Description

The PTF180101M is an unmatched 10-watt GOLDMOS? FET intended for class AB base station applications in the 1 to 2 GHz band. This LDMOS device offers excellent gain, efficiency and linearity performance in a small footprint.

Features

? Typical EDGE performance

- Average output power = 4.0 W

- Gain = 17 dB

- Efficiency = 31

- EVM = 1.3

? Typical CW performance

- Output Power at P–1dB = 10 W

- Gain = 16 dB

- Efficiency = 50

? Integrated ESD protection:

Human Body Model Class 1 (minimum)

? Excellent thermal stability

? Low HCI drift

? Capable of handling 10:1 VSWR @ 28 V,

10 W (CW) output power

? Pb-free and RoHS compliant

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    PTF180101M V1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 系列：

    GOLDMOS?

  • 包裝：

    帶

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    1.99GHz

  • 增益：

    16.5dB

  • 額定電流（安培）：

    1μA

  • 功率 - 輸出：

    10W

  • 封裝/外殼：

    10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PG-RFP-10

  • 描述：

    IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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