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PTF210451F

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 45 W, 2010 ??2025 MHz and 2110 ??2170 MHz

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

PTF210451F V1

Package:2-扁平封裝,葉片引線,帶法蘭;包裝:托盤 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:IC FET RF LDMOS 45W H-31265-2

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

PTF210451

LDMOSRFPowerFieldEffectTransistor45W,2110-2170MHz

Description ThePTF210451isa45WinternallymatchedGOLDMOSFETintendedforWCDMAapplicationsfrom2110to2170MHz.Fullgoldmetallizationensuresexcellentdevicelifetimeandreliability. Features ?Internalmatchingforwidebandperformance ?Typicaltwo–carrierWCDMAperformance

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

PTF210451E

Thermally-EnhancedHighPowerRFLDMOSFETs45W,2010??2025MHzand2110??2170MHz

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

PTF210451E

LDMOSRFPowerFieldEffectTransistor45W,2110-2170MHz

Description ThePTF210451isa45WinternallymatchedGOLDMOSFETintendedforWCDMAapplicationsfrom2110to2170MHz.Fullgoldmetallizationensuresexcellentdevicelifetimeandreliability. Features ?Internalmatchingforwidebandperformance ?Typicaltwo–carrierWCDMAperformance

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

PTFA210451E

Thermally-EnhancedHighPowerRFLDMOSFETs45W,2010??2025MHzand2110??2170MHz

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    PTF210451F

  • 制造商:

    INFINEON

  • 制造商全稱:

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述:

    Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 45 W, 2010 – 2025 MHz and 2110 – 2170 MHz

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INFINEON
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更多PTF210451F供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-24 14:57:00