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PTFA071701E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

PTFA071701E
廠商型號

PTFA071701E

參數(shù)屬性

PTFA071701E 封裝/外殼為2-扁平封裝,葉片引線;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF LDMOS 170W H36248-2

功能描述

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 170 W, 725 ??770 MHz
FET RF LDMOS 170W H36248-2

封裝外殼

2-扁平封裝,葉片引線

文件大小

256.81 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-15 19:04:00

PTFA071701E規(guī)格書詳情

PTFA071701E屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的PTFA071701E晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    PTFA071701EV4XWSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    765MHz

  • 增益:

    18.7dB

  • 功率 - 輸出:

    150W

  • 封裝/外殼:

    2-扁平封裝,葉片引線

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    H-36248-2

  • 描述:

    FET RF LDMOS 170W H36248-2

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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