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PTFA181001E 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 INFINEON/英飛凌

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原廠料號(hào)：PTFA181001E品牌：INFINEO

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PTFA181001E是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻。制造商INFINEO/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝高頻管/2-扁平封裝，葉片引線的PTFA181001E晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

  • 芯片型號(hào)：

    PTFA181001E

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    11 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    408.37 kb

  • 資料說(shuō)明：

    Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 100 W, 1805 ??1880 MHz

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    PTFA181001EV4R250XTMA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    1.88GHz

  • 增益：

    16.5dB

  • 額定電流（安培）：

    1μA

  • 功率 - 輸出：

    100W

  • 封裝/外殼：

    2-扁平封裝，葉片引線

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    H-36248-2

  • 描述：

    IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳誠(chéng)思涵科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    朱先生曾小姐

  • 手機(jī)：

    15820783671

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-83015506/23947236

  • 傳真：

    0755-82815131

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路上步工業(yè)區(qū)101棟518室

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