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PTFA191001E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
PTFA191001E |
| 參數(shù)屬性 | PTFA191001E 封裝/外殼為2-扁平封裝，葉片引線；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻；產(chǎn)品描述：IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2 |
| 功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 100 W, 1930-1990 MHz |
| 文件大小 |
256.13 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
11 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
Infineon【英飛凌】 |
| 中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2024-11-18 19:09:00 |
PTFA191001E規(guī)格書詳情
PTFA191001E屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻。英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的PTFA191001E晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
PTFA191001EV4XWSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
LDMOS
- 頻率：
1.96GHz
- 增益：
17dB
- 額定電流（安培）：
10μA
- 功率 - 輸出：
44dBm
- 封裝/外殼：
2-扁平封裝，葉片引線
- 供應(yīng)商器件封裝：
H-36248-2
- 描述：
IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
1844+ |
NA |
9852 |
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn)!! |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
23+ |
原廠封裝 |
7936 |
詢價(jià) | |||
Infineon |
20+ |
高頻管 |
29516 |
高頻管全新原裝主營(yíng)-可開原型號(hào)增稅票 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
NA |
5500 |
一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨 |
詢價(jià) | |||
Infineon |
23+ |
高頻管 |
500 |
專營(yíng)高頻管模塊,全新原裝! |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
23+ |
H-36248-2 |
1200 |
全新原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì) |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
2022+ |
NA |
57550 |
詢價(jià) | |||
infineon |
2022 |
12 |
原廠原裝正品,價(jià)格超越代理 |
詢價(jià) | |||
英飛凌 |
22+ |
2789 |
全新原裝自家現(xiàn)貨!價(jià)格優(yōu)勢(shì)! |
詢價(jià) | |||
INFINEON/英飛凌 |
2019+ |
SMD |
6992 |
原廠渠道 可含稅出貨 |
詢價(jià) |
