首頁>PTFA192001EV4R250XTMA1>詳情

PTFA192001EV4 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 INFINEON/英飛凌

PTFA192001EV4參考圖片

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：PTFA192001EV4品牌：INFINEON/英飛凌

深圳現(xiàn)貨

PTFA192001EV4是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻。制造商INFINEON/英飛凌/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝H-36260-2的PTFA192001EV4晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

  • 芯片型號：

    PTFA192001EV4

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

  • 資料說明：

    Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin Case 36260 T/R

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    PTFA192001EV4R250XTMA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    1.99GHz

  • 增益：

    15.9dB

  • 額定電流（安培）：

    10μA

  • 功率 - 輸出：

    50W

  • 封裝/外殼：

    H-36260-2

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    H-36260-2

  • 描述：

    FET RF 65V 1.99GHZ H-36260-2

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳芯力源電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    王小姐

  • 手機(jī)：

    13532099029

  • 詢價：
  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北賽格科技園4棟西座8B19

相近型號