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PTFB093608SV分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

PTFB093608SV
廠商型號

PTFB093608SV
參數屬性

PTFB093608SV 封裝/外殼為H-37275G-6/2；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產品描述：IC AMP RF LDMOS
功能描述

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET
IC AMP RF LDMOS
封裝外殼

H-37275G-6/2
文件大小

1.34315 Mbytes
頁面數量

13 頁
生產廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon【英飛凌】

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網
原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-1-15 8:50:00

PTFB093608SV規(guī)格書詳情

PTFB093608SV屬于分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產的PTFB093608SV晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

產品屬性

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  • 產品編號：

    PTFB093608SVV2R250XTMA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    920MHz ~ 960MHz

  • 增益：

    20dB

  • 功率 - 輸出：

    360W

  • 封裝/外殼：

    H-37275G-6/2

  • 供應商器件封裝：

    H-37275G-6/2

  • 描述：

    IC AMP RF LDMOS

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