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PTFB183408SV

High Power RF LDMOS Field Effect Transistor

Description ThePTFB183408SVisa340-wattLDMOSFETintendedforuseinmulti-standardcellularpoweramplifierapplicationsinthe1805to1880MHzfrequencyband.Featuresincludeinputandoutputmatching,highgainandthermally-enhancedpackagewithearlessflange.ManufacturedwithInfi

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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更多PTFB183408SV供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-13 14:11:00

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