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PTFB191501E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
PTFB191501E |
| 參數(shù)屬性 | PTFB191501E 封裝/外殼為2-扁平封裝，葉片引線；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：FET RF LDMOS 150W H36248-2 |
| 功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 150 W, 1930 ??1990 MHz |
| 封裝外殼 | 2-扁平封裝，葉片引線 |
| 文件大小 |
295.43 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
15 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
| 企業(yè)簡稱 |
Infineon【英飛凌】 |
| 中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-27 14:08:00 |
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PTFB191501E屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的PTFB191501E晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
PTFB191501EV1XWSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
LDMOS
- 頻率：
1.99GHz
- 增益：
18dB
- 功率 - 輸出：
150W
- 封裝/外殼：
2-扁平封裝，葉片引線
- 供應(yīng)商器件封裝：
H-36248-2
- 描述：
FET RF LDMOS 150W H36248-2
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飛凌 |
22+ |
NA |
10500 |
只有原裝 低價(jià) 實(shí)單必成 |
詢價(jià) | ||
INF |
24+ |
15000 |
原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | |||
Infineon Technologies |
21+ |
H-36248-2 |
20000 |
100%進(jìn)口原裝!長期供應(yīng)!絕對優(yōu)勢價(jià)格(誠信經(jīng)營)! |
詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
24+ |
原裝 |
5000 |
原裝正品,提供BOM配單服務(wù) |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
23+ |
8000 |
只做原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | |||
Infineon Technologies |
22+ |
H362482 |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) | ||
Infineon |
22+ |
NA |
2118 |
加我QQ或微信咨詢更多詳細(xì)信息, |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
23+ |
INFINEON |
28520 |
原廠授權(quán)代理分銷現(xiàn)貨只做原裝正邁科技樣品支持現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
23+ |
7000 |
詢價(jià) | ||||
Infineon Technologies |
2022+ |
H-36248-2 |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷 |
詢價(jià) |
