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PTFB201402FCV1R250XTMA1

High Power RF LDMOS Field Effect Transistor

Description ThePTFB201402FCintegratestwo70WLDMOSFETsintooneopen-cavityceramicpackage.ItisdesignedprimarilyforDohertycellularamplifierapplicationsinthe2010to2025MHzfrequencyband.ManufacturedwithInfineon’sadvancedLDMOSprocess,thisdeviceoffersexcellentthermal

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    PTFB201402FCV1R250XTMA1

  • 功能描述：

    射頻MOSFET電源晶體管

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Freescale Semiconductor

  • 配置：

    Single

  • 頻率：

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益：

    27 dB

  • 輸出功率：

    100 W

  • 封裝/箱體：

    NI-780-4

  • 封裝：

    Tray

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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只做原裝現(xiàn)貨
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更多PTFB201402FCV1R250XTMA1供應(yīng)商 更新時間2024-12-25 10:18:00

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