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PTFB211503EL分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
PTFB211503EL |
| 參數(shù)屬性 | PTFB211503EL 封裝/外殼為H-33288-6；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：IC AMP RF LDMOS |
| 功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs |
| 封裝外殼 | H-33288-6 |
| 文件大小 |
832.5 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
14 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
| 企業(yè)簡稱 |
Infineon【英飛凌】 |
| 中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-2-13 14:06:00 |
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產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
PTFB211503EL-V1-R250
- 制造商：
Wolfspeed, Inc.
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
LDMOS
- 頻率：
2.17GHz
- 增益：
18dB
- 功率 - 輸出：
32W
- 封裝/外殼：
H-33288-6
- 供應(yīng)商器件封裝：
H-33288-6
- 描述：
IC AMP RF LDMOS
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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