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PTFB213004FV2R250

High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 300 W, 2110 ??2170 MHz

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

PTFB213004FV2R250XTMA1

High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 300 W, 2110 ??2170 MHz

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    PTFB213004FV2R250

  • 制造商：

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述：

    Trans RF MOSFET N-CH 65V 7-Pin Case 37275 T/R

  • 功能描述：

    RFP-LDMOS 9 - Tape and Reel

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多PTFB213004FV2R250供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-14 11:00:00

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