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PTFB213004F

HighPowerRFLDMOSFieldEffectTransistor300W,2110??2170MHz

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

PTFB213004F

HighPowerRFLDMOSFieldEffectTransistor300W,2110??2170MHz

Description ThePTFB213004Fisa300-wattLDMOSFETdesignedforclassABoperationincellularamplifierscoveringthe2110to2170MHzfrequencyband.Featuresincludehighpeakpower,inputandoutputmatch,andathermally-enhanced,open-cavityearlessceramicpackage. Features ?Broadband

CreeCree, Inc

科銳

PTFB213004F

HighPowerRFLDMOSFieldEffectTransistor300W,2110-2170MHz

Description ThePTFB213004Fisa300-wattLDMOSFETdesignedforclassABoperationincellularamplifierscoveringthe2110to2170MHzfrequencyband.Featuresincludehighpeakpower,inputandoutputmatch,andathermally-enhanced,open-cavityearlessceramicpackage. Features ?Broadband

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
INFINEON/英飛凌
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更多PTFB213004S供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-7 14:08:00