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PTFB213208FVV1中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

PTFB213208FVV1
廠商型號(hào)

PTFB213208FVV1

功能描述

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 320 W, 28 V, 2110 ??2170 MHz

文件大小

221.81 Kbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-2-4 22:30:00

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    PTFB213208FVV1

  • 制造商:

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述:

    Trans RF MOSFET N-CH 65V 7-Pin Case H-34275G-6/2 Tray

  • 功能描述:

    RFP-LDMOS 9 - Trays

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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