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PTFB213208FVV1R250中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

PTFB213208FVV1R250
廠商型號(hào)

PTFB213208FVV1R250

功能描述

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 320 W, 28 V, 2110 ??2170 MHz

文件大小

221.81 Kbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-9 16:20:00

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產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    PTFB213208FVV1R250

  • 制造商:

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述:

    Trans RF MOSFET N-CH 65V 7-Pin Case H-34275G-6/2 T/R

  • 功能描述:

    RFP-LDMOS 9 - Tape and Reel

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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