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PTFC262808SV分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
PTFC262808SV |
| 參數(shù)屬性 | PTFC262808SV 封裝/外殼為H-37275G-6/2；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產品描述：IC AMP RF LDMOS |
| 功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 280 W, 28 V, 2620 ??2690 MHz |
| 封裝外殼 | H-37275G-6/2 |
| 文件大小 |
180.44 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
8 頁 |
| 生產廠商 | Infineon Technologies AG |
| 企業(yè)簡稱 |
Infineon【英飛凌】 |
| 中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網 |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據手冊 | |
| 更新時間 | 2025-2-10 8:11:00 |
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PTFC262808SV規(guī)格書詳情
PTFC262808SV屬于分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產的PTFC262808SV晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產品屬性
更多- 產品編號：
PTFC262808SVV1R250XTMA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型：
LDMOS（雙）
- 頻率：
2.62GHz ~ 2.69GHz
- 增益：
19.5dB
- 額定電流（安培）：
10μA
- 功率 - 輸出：
56W
- 封裝/外殼：
H-37275G-6/2
- 供應商器件封裝：
H-37275G-6/2
- 描述：
IC AMP RF LDMOS
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飛凌 |
23+ |
QFN |
89630 |
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INFINEON |
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Infineon Technologies |
24+ |
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INFINEON/英飛凌 |
23+ |
NA/ |
18250 |
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詢價 | ||
INFINEON |
2016+ |
QFN |
3900 |
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詢價 | ||
INFINEON |
23+ |
QFN |
20000 |
詢價 | |||
Infineon/英飛凌 |
22+ |
QFN |
42020 |
原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
INFINEON |
17+ |
QFN |
6200 |
100%原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 |
