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PTGA090304MD分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

PTGA090304MD
廠商型號

PTGA090304MD

參數(shù)屬性

PTGA090304MD 封裝/外殼為14-PowerSMD 模塊;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:30W, SI LDMOS IC , 50V, 575-960M

功能描述

Wideband LDMOS Two-stage Integrated Power Amplifier 2 X 15 W, 48 V, 575 – 960 MHz
30W, SI LDMOS IC , 50V, 575-960M

封裝外殼

14-PowerSMD 模塊

文件大小

1.13722 Mbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 WOLFSPEED, INC.
企業(yè)簡稱

WOLFSPEED

中文名稱

WOLFSPEED, INC.官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-9 23:00:00

PTGA090304MD規(guī)格書詳情

PTGA090304MD屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由WOLFSPEED, INC.制造生產(chǎn)的PTGA090304MD晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

Description

The PTGA090304MD is a wideband, two-stage, LDMOS integrated

power amplifier. Fabricated with Wolfspeed’s 50 V LDMOS process,

it incorporates internal matching for operation from 575 MHz to 960

MHz, and dual independent outputs of 15 W each. It is available in a

14-lead plastic overmold package with gull wing leads.

Features

? On-chip matching for broadband operation

? Designed for ultra wideband performance

? Typical CW performance, 960 MHz, 50 V,

combined outputs

- Output power at P1dB = 45 dBm

- Output power at P3dB = 45.9 dBm

- Linear Gain at P1dB = 31 dB

- Efficiency at P1dB = 48.1

? Capable of handling 10:1 VSWR @50 V, 30 W CW

output power

? Integrated ESD protection

? Human Body Model Class 1C (per ANSI/ESDA/

JEDEC JS-001)

? Integrated temperature compensation

? Pb-free and RoHS compliant

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    PTGA090304MD-V1-R5

  • 制造商:

    Wolfspeed, Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    960MHz

  • 增益:

    32dB

  • 額定電流(安培):

    1μA

  • 功率 - 輸出:

    30W

  • 封裝/外殼:

    14-PowerSMD 模塊

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PG-HB1DSO-14-1

  • 描述:

    30W, SI LDMOS IC , 50V, 575-960M

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