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PTRA087008NB分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

PTRA087008NB
廠商型號

PTRA087008NB

參數(shù)屬性

PTRA087008NB 封裝/外殼為HB2SOF-6-1;包裝為帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:IC RF AMPLIFIER

功能描述

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 650 W, 48 V, 755 – 805 MHz
IC RF AMPLIFIER

封裝外殼

HB2SOF-6-1

文件大小

731.2 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 WOLFSPEED, INC.
企業(yè)簡稱

WOLFSPEED

中文名稱

WOLFSPEED, INC.官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-14 9:38:00

PTRA087008NB規(guī)格書詳情

PTRA087008NB屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由WOLFSPEED, INC.制造生產(chǎn)的PTRA087008NB晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

Description

The PTRA087008NB is a 650-watt LDMOS FET. It is designed for use in multistandard cellular power amplifier applications from 755 MHz to 805 MHz.

Manufactured with Wolfspeed’s advanced LDMOS process, this device provides

excellent thermal performance and superior reliability

Features

? Broadband internal input and output matching

? Asymmetric design

- Main: P1dB = 245 W Typ

- Peak: P1dB = 380 W Typ

? Typical pulsed CW performance, 805 MHz, 48 V,

Doherty configuration

- Output power at P3dB = 650 W

- Efficiency = 52

- Gain = 19.5 dB

? Capable of handling 10:1 VSWR @48 V, 30 W

(WCDMA) output power

? Human Body Model Class 2 (per ANSI/ESDA/JEDEC

JS-001)

? Integrated ESD protection

? Low thermal resistance

? RoHS-compliant

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    PTRA087008NB-V1-R5

  • 制造商:

    Wolfspeed, Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

  • 晶體管類型:

    LDMOS(雙),共源

  • 頻率:

    755MHz ~ 805MHz

  • 增益:

    18.5dB

  • 額定電流(安培):

    10μA

  • 功率 - 輸出:

    650W

  • 封裝/外殼:

    HB2SOF-6-1

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PG-HB2SOF-6-1

  • 描述:

    IC RF AMPLIFIER

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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