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PTVA093002TCV1R250分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
PTVA093002TCV1R250 |
| 參數(shù)屬性 | PTVA093002TCV1R250 封裝/外殼為H-37248G-4/2；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：IC AMP RF LDMOS |
| 功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 300 W, 50 V, 703 ??960 MHz |
| 封裝外殼 | H-37248G-4/2 |
| 文件大小 |
210.51 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
10 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
| 企業(yè)簡稱 |
Infineon【英飛凌】 |
| 中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-20 20:00:00 |
PTVA093002TCV1R250規(guī)格書詳情
PTVA093002TCV1R250屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的PTVA093002TCV1R250晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
PTVA093002TCV1R250XUMA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型：
LDMOS（雙），共源
- 增益：
18.5dB
- 額定電流（安培）：
10μA
- 功率 - 輸出：
300W
- 封裝/外殼：
H-37248G-4/2
- 供應(yīng)商器件封裝：
H-49248H-4
- 描述：
IC AMP RF LDMOS
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飛凌 |
23+ |
NA/ |
7096 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
H-49248H-4 |
880000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
415 |
現(xiàn)貨供應(yīng) |
詢價 | |||
Infineon Technologies |
22+ |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價 | |||
INFINEON/英飛凌 |
22+ |
H-49248H-4 |
20000 |
原裝現(xiàn)貨,實單支持 |
詢價 | ||
ADI |
23+ |
H-49248H-4 |
8000 |
只做原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
2022+ |
- |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷 |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
21+ |
- |
20000 |
100%進口原裝!長期供應(yīng)!絕對優(yōu)勢價格(誠信經(jīng)營)! |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
24+ |
原裝 |
5000 |
原裝正品,提供BOM配單服務(wù) |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
23+ |
H-49248H-4 |
11200 |
原廠授權(quán)一級代理、全球訂貨優(yōu)勢渠道、可提供一站式BO |
詢價 |
