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PTVA123501EC分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
PTVA123501EC |
| 參數(shù)屬性 | PTVA123501EC 封裝/外殼為2-扁平封裝，葉片引線；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：IC AMP RF LDMOS |
| 功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 350 W, 50 V, 1200 ??1400 MHz |
| 封裝外殼 | 2-扁平封裝，葉片引線 |
| 文件大小 |
1.49997 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
14 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
| 企業(yè)簡稱 |
Infineon【英飛凌】 |
| 中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-3-1 11:25:00 |
| 人工找貨 | PTVA123501EC價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
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更多PTVA123501EC規(guī)格書詳情
PTVA123501EC屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的PTVA123501EC晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
PTVA123501ECV2XWSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型：
LDMOS（雙）
- 頻率：
1.2GHz ~ 1.4GHz
- 增益：
17dB
- 額定電流（安培）：
10μA
- 功率 - 輸出：
350W
- 封裝/外殼：
2-扁平封裝，葉片引線
- 供應(yīng)商器件封裝：
H-36248-2
- 描述：
IC AMP RF LDMOS
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
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