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RF2172PCBA-H	文件：292.11 Kbytes Page：12 Pages	ISMBAND3.6V,250MWAMPWITHANALOGGAINCONTROL ProductDescription TheRF2172isamedium-powerhighefficiencyamplifierICtargeting3.6Vhandheldsystems.ThedeviceismanufacturedonanadvancedGalliumArsenideHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)process,andhasbeendesignedforuseasthefinalRFamplifierin2.45GHzBluetootha	RFMD RF Micro Devices	RFMD
RF2172PCBA-L	文件：292.11 Kbytes Page：12 Pages	ISMBAND3.6V,250MWAMPWITHANALOGGAINCONTROL ProductDescription TheRF2172isamedium-powerhighefficiencyamplifierICtargeting3.6Vhandheldsystems.ThedeviceismanufacturedonanadvancedGalliumArsenideHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)process,andhasbeendesignedforuseasthefinalRFamplifierin2.45GHzBluetootha	RFMD RF Micro Devices	RFMD
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