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Q6004LT

Quadrac-InternallyTriggeredTriacs(4Ato15A)

GeneralDescription Teccor’sQuadracdevicesaretriacsthatincludeadiactriggermountedinsidethesamepackage.Thisdevice,developedbyTeccor,savestheusertheexpenseandassemblytimeofbuyingadiscretediacandassemblinginconjunctionwithagatedtriac.Also,thealternistorQ

Littelfuselittelfuse

力特力特公司

Q6004LT

InternallyTriggeredTriacs(4Ato15A)

GeneralDescription Teccor’sQuadracdevicesaretriacsthatincludeadiactriggermountedinsidethesamepackage.Thisdevice,developedbyTeccor,savestheusertheexpenseandassemblytimeofbuyingadiscretediacandassemblinginconjunctionwithagatedtriac.Also,thealternistorQ

Teccor

Teccor Electronics

QM6004P

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD

杜因特深圳市杜因特半導體有限公司

R6004CND

10VDriveNchMOSFET

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

R6004END

Nch600V4APowerMOSFET

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

R6004ENJ

Nch600V4APowerMOSFET

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

R6004ENJ

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

R6004ENX

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

R6004ENX

Nch600V4APowerMOSFET

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

R6004JNJ

Nch600V4APowerMOSFET

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

R6004JNX

Nch600V4APowerMOSFET

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

R6004KND

Nch600V4APowerMOSFET

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

R6004KNJ

Nch600V4APowerMOSFET

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

R6004KNJ

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

R6004KNX

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

R6004KNX

Nch600V4APowerMOSFET

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

RJS6004TDPEJ

SiCSchottkyBarrierDiode

Features ?Newsemiconductormaterial:SiliconCarbideDiode ?Noreverserecovery/Noforwardrecovery

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

RJS6004TDPP-EJ

600V-10A-DiodeSiCSchottkyBarrierDiode

Features ?Newsemiconductormaterial:SiliconCarbideDiode ?Noreverserecovery/Noforwardrecovery

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

RJS6004WDPK

600V-20A-DiodeSiCSchottkyBarrierDiode

Features ?Newsemiconductormaterial:SiliconCarbideDiode ?Noreverserecovery/Noforwardrecovery

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

RJS6004WDPK

SiCSchottkyBarrierDiode

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號:

    PWR6004/H

  • 功能描述:

    Analog IC

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
BB
24+
B
2
詢價
CANDD
23+
原廠原包
19960
只做進口原裝 終端工廠免費送樣
詢價
BURR-BROWN
23+
9920
原裝正品,支持實單
詢價
MURATA/村田
23+
SIPDIP
11200
原廠授權(quán)一級代理、全球訂貨優(yōu)勢渠道、可提供一站式BO
詢價
BB
2023+
80000
一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品
詢價
BB
2138+
DIP
8960
專營軍工產(chǎn)品,進口原裝
詢價
BB
2023+環(huán)?,F(xiàn)貨
3500
專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)等方案配套一站式服務(wù)
詢價
BB
23+
DIP
1010
專業(yè)優(yōu)勢供應(yīng)
詢價
BB
22+
9852
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!
詢價
BURR-BROWN
2022+
原廠原封
57550
詢價
更多PWR6004/H供應(yīng)商 更新時間2024-12-27 15:30:00