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PXAC243502FV

High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 350 W, 28 V, 2300 ??2400 MHz

Description ThePXAC243502FVLDMOSFETisa350-wattLDMOSFETdesignedforuseinpoweramplifierapplicationsinthe2300MHzto2400MHzfrequencyband.Featuresincludeanasymmetricdesignwithhighgainandathermally-enhancedpackagewithearlessflange.ManufacturedwithWolfspeedsadvan

CreeCree, Inc

科銳

PXAC243502FV

High Power RF LDMOS Field Effect Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

PXAC243502FV_15

High Power RF LDMOS Field Effect Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

PXAC243502FV_16

High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 350 W, 28 V, 2300 ??2400 MHz

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

PXAC243502FVV1R0

High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 350 W, 28 V, 2300 ??2400 MHz

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

PXAC243502FVV1R0XTMA1

High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 350 W, 28 V, 2300 ??2400 MHz

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

PXAC243502FVV1R250

High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 350 W, 28 V, 2300 ??2400 MHz

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

PXAC243502FVV1R250XTMA1

High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 350 W, 28 V, 2300 ??2400 MHz

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

PXAC243502FV-V1

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:H-37275-4 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:IC AMP RF LDMOS

WOLFSPEED

WOLFSPEED, INC.

PXAC243502FV-V1-R0

包裝:帶 封裝/外殼:H-37275-4 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:IC AMP RF LDMOS H-37275-4

WOLFSPEED

WOLFSPEED, INC.

PXAC243502FV-V1-R250

包裝:帶 封裝/外殼:H-37275-4 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:IC AMP RF LDMOS

WOLFSPEED

WOLFSPEED, INC.

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
Infineon
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更多PXAC243502FV供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-24 10:18:00