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PXAD184218FV分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
PXAD184218FV |
| 參數(shù)屬性 | PXAD184218FV 封裝/外殼為H-37275G-6/2；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：IC AMP RF LDMOS H-37275G-6 |
| 功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 420 W, 28 V, 1805 ??1880 MHz |
| 封裝外殼 | H-37275G-6/2 |
| 文件大小 |
339.62 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
9 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
| 企業(yè)簡稱 |
Infineon【英飛凌】 |
| 中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-3-10 17:57:00 |
| 人工找貨 | PXAD184218FV價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
PXAD184218FV-V1-R2
- 制造商：
Wolfspeed, Inc.
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
LDMOS
- 頻率：
1.805GHz ~ 1.88GHz
- 增益：
14dB
- 額定電流（安培）：
10μA
- 功率 - 輸出：
130W
- 封裝/外殼：
H-37275G-6/2
- 供應商器件封裝：
H-37275G-6/2
- 描述：
IC AMP RF LDMOS H-37275G-6
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP |
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