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PXAD184218FV分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

PXAD184218FV
廠商型號

PXAD184218FV

參數(shù)屬性

PXAD184218FV 封裝/外殼為H-37275G-6/2;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻;產(chǎn)品描述:IC AMP RF LDMOS H-37275G-6

功能描述

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 420 W, 28 V, 1805 – 1880 MHz
IC AMP RF LDMOS H-37275G-6

文件大小

1.10918 Mbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 WOLFSPEED, INC.
企業(yè)簡稱

WOLFSPEED

中文名稱

WOLFSPEED, INC.官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-11-18 11:10:00

PXAD184218FV規(guī)格書詳情

Description

The PXAD184218FV is a 420-watt (P3dB) LDMOS FET with an asymmetrical

design intended for use in multi-standard cellular power amplifier applications in the 1805 to 1880 MHz frequency band. Features include dual-path

design, input and output matching, high gain and thermally-enhanced

package with earless flanges. Manufactured with Wolfspeed's advanded

LDMOS process, this device provides excellent thermal performance and

superior reliability.

Features

? Broadband internal input and output matching

? Asymmetrical Doherty design

- Main : P1dB = 130 W Typ

- Peak : P1dB = 290 W Typ

? Typical Pulsed CW performance, 1842.5 MHz, 28 V,

Doherty configuration

- Output power at P3dB = 420 W

- Efficiency = 62

- Gain = 14 dB

? Capable of handling 10:1 VSWR @ 28 V, 110 W (WCDMA)

output power

? Integrated ESD protection

? Human Body Model class 2 (per ANSI/ESDA/

JEDEC JS-001)

? Low thermal resistance

? Pb-free and RoHS compliant

PXAD184218FV屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻。WOLFSPEED, INC.制造生產(chǎn)的PXAD184218FV晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    PXAD184218FV-V1-R2

  • 制造商:

    Wolfspeed, Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    1.805GHz ~ 1.88GHz

  • 增益:

    14dB

  • 額定電流(安培):

    10μA

  • 功率 - 輸出:

    130W

  • 封裝/外殼:

    H-37275G-6/2

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    H-37275G-6/2

  • 描述:

    IC AMP RF LDMOS H-37275G-6

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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