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PZT751T1G分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料

PZT751T1G
廠商型號

PZT751T1G
參數屬性

PZT751T1G 封裝/外殼為TO-261-4，TO-261AA；包裝為剪切帶（CT）帶盒（TB）；類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產品描述：TRANS PNP 60V 2A SOT223
功能描述

PNP Silicon Planar Epitaxial Transistor
TRANS PNP 60V 2A SOT223
封裝外殼

TO-261-4，TO-261AA
文件大小

127.15 Kbytes
頁面數量

6 頁
生產廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI【安森美半導體】

中文名稱

安森美半導體公司官網
原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-3-6 20:00:00
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PZT751T1G規(guī)格書詳情

PZT751T1G屬于分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個。由安森美半導體公司制造生產的PZT751T1G晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產的第一批半導體器件之一，對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言，它們仍然是首選技術。

This PNP Silicon Epitaxial transistor is designed for use in industrial and consumer applications. The device is housed in the SOT?223 package which is designed for medium power surface mount applications.

Features

? High Current: 2.0 A

? The SOT?223 Package can be soldered using wave or reflow.

? SOT?223 package ensures level mounting, resulting in improved

thermal conduction, and allows visual inspection of soldered joints.

The formed leads absorb thermal stress during soldering, eliminating

the possibility of damage to the die

? NPN Complement is PZT651T1

? Pb?Free Package is Available

產品屬性

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  • 產品編號：

    PZT751T1G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    剪切帶（CT）帶盒（TB）

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    500mV @ 200mA，2A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    75 @ 1A，2V

  • 頻率 - 躍遷：

    75MHz

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-261-4，TO-261AA

  • 供應商器件封裝：

    SOT-223（TO-261）

  • 描述：

    TRANS PNP 60V 2A SOT223

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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