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QH03BZ600分立半導體產(chǎn)品的二極管-整流器-單規(guī)格書PDF中文資料

QH03BZ600
廠商型號

QH03BZ600
參數(shù)屬性

QH03BZ600 封裝/外殼為TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝為管件；類別為分立半導體產(chǎn)品的二極管-整流器-單；產(chǎn)品描述：DIODE GEN PURP 600V 3A TO263AB
功能描述

600 V, 3 A H-Series PFC Diode
封裝外殼

TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
文件大小

227.66 Kbytes
頁面數(shù)量

9 頁
生產(chǎn)廠商 Power Integrations, Inc.
企業(yè)簡稱

POWERINT

中文名稱

荷蘭帕沃英蒂格盛有限公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-2-4 15:50:00

QH03BZ600規(guī)格書詳情

General Description

This device has the lowest QRR of any 600 V

silicon diode. Its recovery characteristics

increase efficiency, reduce EMI and eliminate

snubbers.

Applications

? Power Factor Correction (PFC) boost diode

? Motor drive circuits

? DC-AC Inverters

Features

? Low QRR, low IRRM, low tRR

? High dIF/dt capable (1000 A / μs)

? Soft recovery

Benefits

? Increases efficiency

? Eliminates need for snubber circuits

? Reduces EMI filter component size & count

? Enables extremely fast switching

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    QH03BZ600

  • 制造商：

    Power Integrations

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單

  • 系列：

    Qspeed?

  • 包裝：

    管件

  • 二極管類型：

    標準

  • 電流 - 平均整流 (Io)：

    3A

  • 速度：

    快速恢復(fù) =< 500ns，> 200mA（Io）

  • 不同?Vr、F 時電容：

    11pF @ 10V，1MHz

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-263AB

  • 工作溫度 - 結(jié)：

    150°C（最大）

  • 描述：

    DIODE GEN PURP 600V 3A TO263AB

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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全新原裝進口,假一罰十
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