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QM6008U

N-Ch 60V Fast Switching MOSFETs

UPI

uPI Semiconductor Corp

QM6008U

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

QM6008U

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

R6008ANX

Nch600V8APowerMOSFET

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

R6008ANX

10VDriveNchMOSFET

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

R6008FNJ

10VDriveNchMOSFET

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

R6008FNJTL

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

R6008FNX

10VDriveNchMOSFET

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

RJQ6008BDPM

600V-6A-IGBTPowerSwitching

Features ?Builtinfastrecoverydiodeinonepackage ?Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.8Vtyp.(atIC=20A,VGE=15V,Tc=25?C) ?Qualitygrade:Standard ?Highspeedswitching ?Applications:PFC

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

RJQ6008DPM

600V-10A-IGBTandDiodeHighSpeedPowerSwitching

Features ?Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=2.65Vtyp.(IC=25A,VGE=15V,Ta=25°C) ?Builtinfastrecoverydiodeinonepackage ?Trenchgateandthinwafertechnology ?Highspeedswitching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
UBIQ
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更多QM6008U供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-23 10:20:00

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