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R1LV0216BSB-7SI 集成電路（IC）存儲器 RENESAS/瑞薩

R1LV0216BSB-7SI參考圖片

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原廠料號：R1LV0216BSB-7SI品牌：RENESAS/瑞薩

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R1LV0216BSB-7SI是集成電路（IC） > 存儲器。制造商RENESAS/瑞薩/Renesas Electronics America Inc生產(chǎn)封裝TSOP44/44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）的R1LV0216BSB-7SI存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-Wire。

  • 芯片型號：

    R1LV0216BSB-7SI-B0

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    RENESAS【瑞薩】詳情

  • 廠商全稱：

    Renesas Technology Corp

  • 中文名稱：

    瑞薩科技有限公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    16 頁

  • 文件大?。?/span>

    198.39 kb

  • 資料說明：

    2Mb Advanced LPSRAM (128k word x 16bit)

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    R1LV0216BSB-7SI#S0

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM

  • 存儲容量：

    2Mb（128K x 16）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    70ns

  • 電壓 - 供電：

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    44-TSOP II

  • 描述：

    IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市艾宇特電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    李 先生

  • 手機(jī)：

    15817287769

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-83224028/83201767

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)振興路101號華勻1棟5樓B14

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