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R1LV0408DSB-5SI集成電路(IC)存儲器規(guī)格書PDF中文資料

R1LV0408DSB-5SI
廠商型號

R1LV0408DSB-5SI

參數(shù)屬性

R1LV0408DSB-5SI 封裝/外殼為32-SOIC(0.400",10.16mm 寬);包裝為托盤;類別為集成電路(IC) > 存儲器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II

功能描述

4M SRAM (512-kword ? 8-bit)
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II

文件大小

454.61 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2024-11-17 14:32:00

R1LV0408DSB-5SI規(guī)格書詳情

R1LV0408DSB-5SI屬于集成電路(IC) > 存儲器。瑞薩科技有限公司制造生產(chǎn)的R1LV0408DSB-5SI存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    R1LV0408DSB-5SI#B0

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    SRAM

  • 技術:

    SRAM

  • 存儲容量:

    4Mb(512K x 8)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    55ns

  • 電壓 - 供電:

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    32-SOIC(0.400",10.16mm 寬)

  • 供應商器件封裝:

    32-TSOP II

  • 描述:

    IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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