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R1RW0408DGE-2PR#B0 集成電路(IC)存儲器 RENESAS/瑞薩
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品參考屬性
- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號:
R1RW0408DGE-2PR#B0
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 類別:
- 包裝:
散裝
- 存儲器類型:
易失
- 存儲器格式:
SRAM
- 技術(shù):
SRAM
- 存儲容量:
4Mb(512K x 8)
- 存儲器接口:
并聯(lián)
- 寫周期時間 - 字,頁:
12ns
- 電壓 - 供電:
3V ~ 3.6V
- 工作溫度:
0°C ~ 70°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
36-BSOJ(0.400",10.16mm 寬)
- 供應(yīng)商器件封裝:
36-SOJ
- 描述:
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
供應(yīng)商
- 企業(yè):
萬三科技(深圳)有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
阮海燕
- 手機:
13530233832
- 詢價:
- 電話:
0755-28193459
- 傳真:
0755-28193459
- 地址:
深圳市龍華區(qū)民治街道新牛社區(qū)金地梅隴鎮(zhèn)9棟4單元14C
相近型號
- R1RW0416DGE-2LR
- R1RW0408DGE-2LR#B1
- R1RW0416DGE-2LR#B0
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