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GT25G102

DiscreteIGBTs

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

GT25G102

NCHANNELIGBT(STROBEFLASHAPPLICATIONS)

DiscreteIGBTs(PDF:875KB)03/2011: http://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=7429 *GT30G124 -BreakdownVoltageVCES(V)@Ta=25C:430V -IGBTCurrentRatingIC(A)@Ta=25C:200A *GT30J124 -BreakdownVoltageVCES(V)@Ta=25C:600V -IGBTCurrentRatingIC(

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

GT25G102SM

NCHANNELIGBT(STROBEFLASHAPPLICATIONS)

STROBEFLASHAPPLICATIONS ●HighInputImpedance ●LowSaturationVoltage:VCE(sat)=8V(Max.)(IC=150A) ●Enhancement?Mode ●12VGateDrive

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

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更多R25G102JT供應(yīng)商 更新時間2025-2-27 15:00:00