R49AN347040B1M_電容器 薄膜電容器EMI，RFI 抑制-基美

原廠料號：R49AN347040B1M品牌：KEMET

資料說明：CAP FILM 0.47UF 20% 800VDC RAD

R49AN347040B1M是電容器 > 薄膜電容器。制造商KEMET/基美生產封裝徑向的R49AN347040B1M薄膜電容器薄膜電容器是用于存儲電荷的雙片式器件。這些器件由沉積在基底上并由電介質分隔的薄膜層組成。電容值范圍為 0.05 pF 至 500 mF，電壓為 2.5 V 至 100 V，封裝尺寸為 0201 至 1210，容差為 ±0.01 pF 至 ±5％。

• 芯片型號：

  r49an347040b1m

• 規(guī)格書：

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• 企業(yè)簡稱：

  KEMET【基美】詳情

• 廠商全稱：

  KEMET Corporation

• 中文名稱：

  基美公司

• 資料說明：

  CAP FILM 0.47UF 20% 800VDC RAD