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R6012FNX

10VDriveNchMOSFET

Features 1)Fastreverserecoverytime(trr). 2)Lowon-resistance. 3)Fastswitchingspeed. 4)Gate-sourcevoltage(VGSS)guaranteedtobe?30V. 5)Drivecircuitscanbesimple. 6)Paralleluseiseasy. 7)Pb-freeleadplating;RoHScompliant Application SwitchingPowerSupply

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

R6012FNX

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

R6012JNJ

Nch600V12APowerMOSFET

Features 1)Fastreverserecoverytime(trr) 2)Lowon-resistance 3)Fastswitchingspeed 4)Drivecircuitscanbesimple 5)Pb-freeplating;RoHScompliant Application Switchingapplications

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

R6012JNX

Nch600V12APowerMOSFET

Features 1)Fastreverserecoverytime(trr) 2)Lowon-resistance 3)Fastswitchingspeed 4)Drivecircuitscanbesimple 5)Pb-freeplating;RoHScompliant Application Switchingapplications

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

RFOS6012

GaAsOpticalReceiver45MHzto1200MHz

QORVO

Qorvo, Inc

RJK6012DPE

SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching

Features ?Lowon-resistance RDS(on)=0.77Ωtyp.(atID=5A,VGS=10V,Ta=25°C) ?Lowleakagecurrent ?Highspeedswitching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

RJK6012DPP

SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching

Features ?Lowon-resistance RDS(on)=0.77Ωtyp.(atID=5A,VGS=10V,Ta=25°C) ?Lowleakagecurrent ?Highspeedswitching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

RJL6012DPE

SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

RJL6012DPE

600V-10A-MOSFETHighSpeedPowerSwitching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

RJL6012DPP

SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching

Features ?Built-infastrecoverydiode ?Lowon-resistance ?Lowleakagecurrent ?Highspeedswitching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
ROHM/羅姆
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原裝正品現(xiàn)貨
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更多R6012FNJTL供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-26 16:20:00

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