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R6504ENJ中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

R6504ENJ
廠商型號

R6504ENJ

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

絲印標(biāo)識

D2PAK

封裝外殼

TO-263

文件大小

299.23 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-28 19:05:00

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R6504ENJ規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

? Designed for use in switch mode power supplies and general purpose applications.

FEATURES

? Drain Current –ID= 4.0A@ TC=25℃

? Drain Source Voltage- : VDSS=650V(Min)

? Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.05Ω (Max)

? 100 avalanche tested

? Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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