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TPC8201

TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType

LithiumIonBatteryApplications PortableEquipmentApplications NotebookPCs ●Lowdrain?sourceONresistance:RDS(ON)=37m?(typ.) ●Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=6S(typ.) ●Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=30V) ●Enhancement?mode:Vth=0.8~2.0V(VDS=

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TPCF8201

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TPCF8201

DualN-Channel20V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    R8201NLT

  • 制造商：

    iNRCORE, LLC

  • 類別：

    變壓器 > 電源變壓器

  • 包裝：

    管件

  • 類型：

    平面

  • 初級繞組：

    雙

  • 次級繞組：

    單，多抽頭

  • 中心抽頭：

    無

  • 功率 - 最大值：

    250W

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 端接樣式：

    焊接，快速連接

  • 大小 / 尺寸：

    29.46mm 長 x 25.40mm 寬

  • 高度 - 安裝（最大值）：

    10.20mm

  • 電壓 - 隔離：

    1750VDC

  • 描述：

    TRANSFORMER PLANAR 216UH

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多R8201供應(yīng)商 更新時間2025-4-11 15:00:00

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