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RB520S30T1G_V01中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

RB520S30T1G_V01
廠商型號

RB520S30T1G_V01

功能描述

Schottky Barrier Diode

文件大小

145.19 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-19 15:08:00

RB520S30T1G_V01規(guī)格書詳情

These Schottky barrier diodes are designed for high?speed

switching applications, circuit protection, and voltage clamping.

Extremely low forward voltage reduces conduction loss. Miniature

surface mount package is excellent for hand?held and portable

applications where space is limited.

Features

? Extremely Fast Switching Speed

? Extremely Low Forward Voltage 0.6 V (max) @ IF = 200 mA

? Low Reverse Current

? ESD Rating: Class 3B per Human Body Model

Class C per Machine Model

? These Devices are Pb?Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS

Compliant

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
三年內(nèi)
1983
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