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RBN25H125S1FPQ-A0分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

RBN25H125S1FPQ-A0
廠商型號

RBN25H125S1FPQ-A0

參數(shù)屬性

RBN25H125S1FPQ-A0 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:ABU / IGBT

功能描述

1250V - 25A - IGBT

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

323.39 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-31 23:00:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    RBN25H125S1FPQ-A0#CB0

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • IGBT 類型:

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.34V @ 15V,25A

  • 開關(guān)能量:

    1.1mJ(開),800μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    19ns/109ns

  • 測試條件:

    600V,25A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247A

  • 描述:

    ABU / IGBT

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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