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RBN75H65T1FPQ-A0#CB0 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 RENESAS/瑞薩

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原廠料號(hào)：RBN75H65T1FPQ-A0#CB0品牌：RENESAS

RBN75H65T1FPQ-A0#CB0是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商RENESAS/Renesas Electronics America Inc生產(chǎn)封裝TO247/TO-247-3的RBN75H65T1FPQ-A0#CB0晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    RBN75H65T1FPQ-A0#CB0

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    RENESAS【瑞薩】詳情

  • 廠商全稱：

    Renesas Technology Corp

  • 中文名稱：

    瑞薩科技有限公司

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    RBN75H65T1FPQ-A0#CB0

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • IGBT 類型：

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2V @ 15V，75A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    1.6mJ（開(kāi)），1mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    29ns/113ns

  • 測(cè)試條件：

    400V，75A，16 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247A

  • 描述：

    ABU / IGBT

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市杰順創(chuàng)科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    符小姐

  • 手機(jī)：

    13410384382

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-83993226

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)福田街道崗廈社區(qū)彩田路3069號(hào)星河世紀(jì)A棟1519R、深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟西中8樓8B16室

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