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RC28F800C3BD70

Advanced Boot Block Flash Memory (C3)

The0.25μm3VoltAdvanced+BootBlock,manufacturedonIntel’slatest0.25μtechnology,representsafeature-richsolutionatoveralllowersystemcost.Smart3flashmemorydevicesincorporatelowvoltagecapability(2.7Vread,programanderase)withhigh-speed,low-poweroperation.Flexible

IntelIntel Corporation

英特爾

GE28F800C3BD70

AdvancedBootBlockFlashMemory(C3)

The0.25μm3VoltAdvanced+BootBlock,manufacturedonIntel’slatest0.25μtechnology,representsafeature-richsolutionatoveralllowersystemcost.Smart3flashmemorydevicesincorporatelowvoltagecapability(2.7Vread,programanderase)withhigh-speed,low-poweroperation.Flexible

IntelIntel Corporation

英特爾

GT28F800C3BD70

AdvancedBootBlockFlashMemory(C3)

The0.25μm3VoltAdvanced+BootBlock,manufacturedonIntel’slatest0.25μtechnology,representsafeature-richsolutionatoveralllowersystemcost.Smart3flashmemorydevicesincorporatelowvoltagecapability(2.7Vread,programanderase)withhigh-speed,low-poweroperation.Flexible

IntelIntel Corporation

英特爾

TE28F800C3BD70

AdvancedBootBlockFlashMemory(C3)

The0.25μm3VoltAdvanced+BootBlock,manufacturedonIntel’slatest0.25μtechnology,representsafeature-richsolutionatoveralllowersystemcost.Smart3flashmemorydevicesincorporatelowvoltagecapability(2.7Vread,programanderase)withhigh-speed,low-poweroperation.Flexible

IntelIntel Corporation

英特爾

詳細參數(shù)

  • 型號：

    RC28F800C3BD70

  • 功能描述：

    IC FLASH 8MBIT 70NS 64BGA

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    集成電路(IC) >> 存儲器

  • 系列：

    -

  • 標準包裝：

    576

  • 系列：

    - 格式 -

  • 存儲器：

    閃存

  • 存儲器類型：

    閃存 - NAND

  • 存儲容量：

    512M（64M x 8）

  • 速度：

    -

  • 接口：

    并聯(lián)

  • 電源電壓：

    2.7 V ~ 3.6 V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C

  • 封裝/外殼：

    48-TFSOP（0.724，18.40mm 寬）

  • 供應商設備封裝：

    48-TSOP

  • 包裝：

    托盤

  • 其它名稱：

    497-5040

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多RC28F800C3BD70供應商 更新時間2024-12-26 16:30:00

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