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RD01MUS2B中文資料三菱電機(jī)數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

RD01MUS2B
廠商型號

RD01MUS2B

功能描述

RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 527MHz,1W

文件大小

2.69821 Mbytes

頁面數(shù)量

15

生產(chǎn)廠商 Mitsubishi Electric Semiconductor
企業(yè)簡稱

Mitsubishi三菱電機(jī)

中文名稱

三菱電機(jī)株式會社官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-23 23:00:00

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RD01MUS2B規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

RD01MUS2B is a MOS FET type transistor specifically designed for VHF/UHF RF amplifiers applications.

This device has an internal monolithic zener diode from gate to source for ESD protection.

FEATURES

? High power gain and High Efficiency.

Pout 1.6W Typ, Gp 15dBTyp, 70Typ @Vdd=7.2V,f=527MHz

? Integrated gate protection diode

APPLICATION

For output stage of high power amplifiers in VHF/UHF Band mobile radio sets.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    RD01MUS2B

  • 制造商:

    MITSUBISHI

  • 制造商全稱:

    Mitsubishi Electric Semiconductor

  • 功能描述:

    RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 527MHz,1W

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
MITSUBISHI/三菱
23+
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