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RD6.2P	文件：258.329 Kbytes Page：6 Pages	1W POWER MINI MOLD ZENER DIODE SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC
RD6.2P	文件：257.149 Kbytes Page：1 Pages	1 W POWER MINI MOLD ZENER DIODE	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時(shí)科廣東時(shí)科微實(shí)業(yè)有限公司	SKTECHNOLGY
RD6.2S	文件：54.8 Kbytes Page：12 Pages	ZENERDIODES200mW2PINSSUPERMINIMOLD DESCRIPTION TypeRD2.0StoRD120SSeriesare2PINSuperMiniMoldPackagezenerdiodespossessinganallowablepowerdissipationof200mW. FEATURES ?SharpBreakdowncharacteristic. ?Vz:AppliedE24standard. APPLICATIONS CircuitforConstantVoltage,ConstantCurrent,W	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC
RD6.2SL	文件：84 Kbytes Page：7 Pages	ZENERDIODES DESCRIPTION TypeRD4.7SLtoRD39SLSeriesare2PINSuperMiniMoldPackagezenerdiodespossessinganallowablepowerdissipationof200mWfeaturinglownoiseandsharpbreakdowncharacteristic.Theyareintendedforuseinaudioequipment,instrumentequipment. FEATURES ?LowNoise	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC
RD6.2UJ	文件：41.95 Kbytes Page：8 Pages	LOWNOISESHARPBREAKDOWNCHARACTERISTICSZENERDIODES2PINULTRASUPERMINIMOLD SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC
RD6.2UM	文件：63.51 Kbytes Page：8 Pages	ZENERDIODES2PINULTRASUPERMINIMOLD SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC
RD6.2Z	文件：33.14 Kbytes Page：4 Pages	ZENERDIODE200mWESDPROTECTION(5VSignalLine)MINIMOLD	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC
RKZ6.2AKU	文件：110.53 Kbytes Page：7 Pages	SiliconPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply Features ?Smalloutlineyethigh-powerpermitting500mWpowerdissipation. ?Halogenfree,EnvironmentalfriendlyPackageincludesConformitytoRoHSDirective. ?ThinUltrasmallResinPackage(TURP-FM)issuitableforhighdensitysurfacemountingandhighspeedassembly.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
RKZ6.2BKP	文件：83.16 Kbytes Page：5 Pages	SiliconPlanarZenerDiodeforSurgeAbsorption Features ?HighESD-Capability30kV,humanbodymodel(IEC61000-4-2). ?Widezenervoltagerangefrom6.2Vthrough8.2V. ?Halogenfree,EnvironmentalfriendlyPackageincludeConformitytoRoHSDirective. ?UltrasmallPackage(0.6mm×0.3mmSizeleadlesstype).	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
RKZ6.2BKU	文件：110.53 Kbytes Page：7 Pages	SiliconPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply Features ?Smalloutlineyethigh-powerpermitting500mWpowerdissipation. ?Halogenfree,EnvironmentalfriendlyPackageincludesConformitytoRoHSDirective. ?ThinUltrasmallResinPackage(TURP-FM)issuitableforhighdensitysurfacemountingandhighspeedassembly.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
RKZ6.2BKV	文件：216.33 Kbytes Page：8 Pages	SiliconPlanarZenerDiodeforConstantvoltageregulator Features ?Thesediodesaredeliveredtaped. ?SmallResinPackageFlatleadtype(SRP-F)issuitableforcompactandhigh-densitysurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
RKZ6.2BKV	文件：210.07 Kbytes Page：8 Pages	SiliconPlanarZenerDiodeforConstantvoltageregulator Features ?Thesediodesaredeliveredtaped. ?SmallResinPackageFlatleadtype(SRP-F)issuitableforcompactandhigh-densitysurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
RKZ6.2CKU	文件：110.53 Kbytes Page：7 Pages	SiliconPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply Features ?Smalloutlineyethigh-powerpermitting500mWpowerdissipation. ?Halogenfree,EnvironmentalfriendlyPackageincludesConformitytoRoHSDirective. ?ThinUltrasmallResinPackage(TURP-FM)issuitableforhighdensitysurfacemountingandhighspeedassembly.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
RKZ6.2KL	文件：56.24 Kbytes Page：5 Pages	SiliconPlanarZenerDiodeforSurgeAbsorption Features ?IEC61000-4-2Contactdischarge:30kV ?ExtremelysmallFlatLeadPackage(EFP)issuitableforsurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
RLZ6.2	文件：219.34 Kbytes Page：4 Pages	500MWZENERLEADLESSDIODE	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
RLZ6.2	文件：820.45 Kbytes Page：4 Pages	500mWZenerLeadlessDiode	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
RLZ6.2	文件：820.45 Kbytes Page：4 Pages	Designedformountingonsmallsurfaceareas(LLDS(LL-34))	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
RLZ6.2	文件：820.45 Kbytes Page：4 Pages	500mWZenerLeadlessDiodeRLZSeries	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
RD6.2P
制造商：
NEC
制造商全稱：
NEC
功能描述：
1W POWER MINI MOLD ZENER DIODE

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市亞泰盈科電子有限公司	RD6.2P	NEC/RENES		SOT89	30216	提供BOM表配單TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S	詢價(jià)
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更多RD6.2P供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-24 14:00:00

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