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RDD020N60_VBSEMI/微碧半導(dǎo)體_MOSFET N-CH 600V 2A CPT3維爾達(dá)電子

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  • 廠家型號(hào)：

    RDD020N60

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    VBSEMI/微碧半導(dǎo)體

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    3716

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO252-3

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    2206+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2024-11-16 8:00:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠料號(hào)：RDD020N60品牌：VBsemi

一級(jí)代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品

  • 芯片型號(hào)：

    RDD020N60

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    VBSEMI【微碧半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    VBsemi Electronics Co.,Ltd

  • 中文名稱：

    微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    9 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    1076.2 kb

  • 資料說(shuō)明：

    Power MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    RDD020N60

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 600V 2A CPT3

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市維爾達(dá)電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    連先生

  • 手機(jī)：

    13544094624

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-83465779

  • 傳真：

    0755-83465779

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)友誼路上步工業(yè)區(qū)403棟鈺裕大廈東座3層318

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