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RF0009D	文件：213.77 Kbytes Page：2 Pages	Fast Recovery Rectifier	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
RF0009D_15	文件：213.77 Kbytes Page：2 Pages	Fast Recovery Rectifier	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
RFXF0009	文件：296.04 Kbytes Page：4 Pages	45MHzto1200MHzOperation	RFMD RF Micro Devices	RFMD
RFXF0009	文件：681.36 Kbytes Page：8 Pages	45-1218MHzGaAs/GaNPowerDoublerModule	QORVO Qorvo, Inc	QORVO
RFXF0009H	文件：581.54 Kbytes Page：5 Pages	1:1SMTTransformer45MHzto1200MHz	QORVO Qorvo, Inc	QORVO
RFXF0009HSB	文件：581.54 Kbytes Page：5 Pages	1:1SMTTransformer45MHzto1200MHz	QORVO Qorvo, Inc	QORVO
RFXF0009HSQ	文件：581.54 Kbytes Page：5 Pages	1:1SMTTransformer45MHzto1200MHz	QORVO Qorvo, Inc	QORVO
RFXF0009HSR	文件：581.54 Kbytes Page：5 Pages	1:1SMTTransformer45MHzto1200MHz	QORVO Qorvo, Inc	QORVO
RP0009	文件：202.44 Kbytes Page：2 Pages	RECTIFIER	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
RQA0009SXAQS	文件：200.65 Kbytes Page：13 Pages	SiliconN-ChannelMOSFET Features HighOutputPower,HighGain,HighEfficiency Pout=+37.8dBm,LinearGain=18dB,PAE=65 (VDS=6V,f=520MHz) Compactpackagecapableofsurfacemounting ElectrostaticDischargeImmunityTest(IECStandard,61000-4-2,Level4)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
RQA0009SXTL	文件：200.65 Kbytes Page：13 Pages	SiliconN-ChannelMOSFET Features HighOutputPower,HighGain,HighEfficiency Pout=+37.8dBm,LinearGain=18dB,PAE=65 (VDS=6V,f=520MHz) Compactpackagecapableofsurfacemounting ElectrostaticDischargeImmunityTest(IECStandard,61000-4-2,Level4)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
RQA0009SXTL-E	文件：200.65 Kbytes Page：13 Pages	SiliconN-ChannelMOSFET Features HighOutputPower,HighGain,HighEfficiency Pout=+37.8dBm,LinearGain=18dB,PAE=65 (VDS=6V,f=520MHz) Compactpackagecapableofsurfacemounting ElectrostaticDischargeImmunityTest(IECStandard,61000-4-2,Level4)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
RQA0009TXDQS	文件：199.29 Kbytes Page：13 Pages	SiliconN-ChannelMOSFET Features ?HighOutputPower,HighGain,HighEfficiency Pout=+37.8dBm,LinearGain=18dB,PAE=65 (VDS=6V,f=520MHz) ?Compactpackagecapableofsurfacemounting ?ElectrostaticDischargeImmunityTest (IECStandard,61000-4-2,Level4)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
RQA0009TXTL-E	文件：199.29 Kbytes Page：13 Pages	SiliconN-ChannelMOSFET Features ?HighOutputPower,HighGain,HighEfficiency Pout=+37.8dBm,LinearGain=18dB,PAE=65 (VDS=6V,f=520MHz) ?Compactpackagecapableofsurfacemounting ?ElectrostaticDischargeImmunityTest (IECStandard,61000-4-2,Level4)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
RS0009	文件：209.84 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYRECTIFIER	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
RU0009D	文件：112.88 Kbytes Page：2 Pages	ULTRAFASTRECTIFIER	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
SF-Z0009	文件：44.35 Kbytes Page：2 Pages	Crimpingpliers	PhoenixPhoenix Contact 菲尼克斯電氣德國菲尼克斯電氣集團	Phoenix
TL0009A	文件：225.72 Kbytes Page：7 Pages	LTCCFilter2450MHzSMD2.0x1.25mm(100MHzBW)	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
TM0009A	文件：7.43326 Mbytes Page：8 Pages	YourBestPartnerForFrequencyDevices	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
TR0009	文件：109.94 Kbytes Page：2 Pages	NPNTRANSISTOR	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI

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供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市航宇科工半導體有限公司	RF-001	Yuandi(臺灣元迪)	21+	SMD,2.6x2.6x1.25mm	4750	中國航天工業(yè)部戰(zhàn)略合作伙伴行業(yè)領(lǐng)導者	詢價
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更多RF0009D供應(yīng)商更新時間2025-1-11 13:01:00

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