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RF2307PCBA	文件：59.54 Kbytes Page：4 Pages	GENERAL PURPOSE AMPLIFIER ProductDescription TheRF2307isageneralpurpose,lowcostRFamplifierIC.ThedeviceismanufacturedonanadvancedGalliumArsenideHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)process,andhasbeendesignedforuseasaneasily-cascadable50?gainblock.ApplicationsincludeIFandRFamplifica	RFMD RF Micro Devices	RFMD
RLTCM-2307D	文件：311.53 Kbytes Page：3 Pages	midinfraredemittinglaserdiode	ROITHNER Roithner LaserTechnik GmbH	ROITHNER
RLTCM-2307D	文件：311.53 Kbytes Page：3 Pages	MidinfraredEmittingLaserDiode	ROCHESTERRochester Electronics 羅切斯特羅切斯特電子公司	ROCHESTER
RN2307	文件：171.89 Kbytes Page：6 Pages	Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitAndDriverCircuitApplications Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitAndDriverCircuitApplications Withbuilt-inbiasresistors Simplifycircuitdesign Reduceaquantityofpartsandmanufacturingprocess ComplementarytoRN1307~RN1309	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
RSZ-2307	文件：89.09 Kbytes Page：2 Pages	1WattSMDMiniatureIsolatedSingleOutput	RECOM Recom International Power	RECOM
RSZ-2307HP	文件：89.09 Kbytes Page：2 Pages	1WattSMDMiniatureIsolatedSingleOutput	RECOM Recom International Power	RECOM
S2307	文件：596.87 Kbytes Page：1 Pages	Attractivestyling	LSTD Laird Tech Smart Technology	LSTD
SF2307D	文件：125.96 Kbytes Page：4 Pages	353.5MHzSAWFilter	MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd. 村田村田制作所	MuRata
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SI2307A	文件：1.73274 Mbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementMOSFET Features VDS (V) =-30V ID =-3.0A(VGS=-10V) RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺半導體廣東友臺半導體有限公司	UMW
SI2307A	文件：1.57048 Mbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementMOSFET Features VDS(V)=-30V ID=-3.0A(VGS=-10V) RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導體	EVVOSEMI
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SI2307BDS	文件：1.94972 Mbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
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